型号: AFT20P060-4NR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 18.9 dB
输出功率: 6.3 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 225 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: OM-780-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 2 GHz
系列: AFT20P060_4N
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道模式: Enhancement
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
零件号别名: 935311386528
单位重量: 3.081 g
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