型号: APTM60A11FT1G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 模块
系列： -
包装： 散装
FET 类型： 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 40A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 132 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 330nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 10552pF @ 25V
功率 - 最大值： 390W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP1
供应商器件封装： SP1
其它名称： APTM60A11UT1GAPTM60A11UT1G-ND
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