型号: AUIRF7648M2TR
功能描述: N Channel 60 V 2.5 W 7 mO Automotive Hexfet MosFet - DirectFET ISOMETRIC
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: MG-WDSON-7
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 14A(Ta),68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 7 毫欧 @ 41A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 53nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2170pF @ 25V
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),63W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
系列: HEXFET®
FET类型: N 沟道
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 14A(Ta),68A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 53nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 2170pF @ 25V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 7 毫欧 @ 41A,10V
封装形式Package: Direct-FET
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 60V
连续漏极电流ID: 14A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 53nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2170pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 25V
供应商器件封装: DIRECTFET™ M4
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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