型号: BFP 640ESD H6327
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: BFP640
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 110
集电极—发射极最大电压 VCEO: 4.1 V
集电极连续电流: 50 mA
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 45 GHz
类型: RF Silicon Germanium
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: BFP640ESDH6327XTSA1 BFP64ESDH6327XT SP000785482
单位重量: 7 mg
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