型号:  BFR 182W H6327

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

系列:  BFR182

晶体管类型:  Bipolar

技术:  Si

晶体管极性:  NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:  70

集电极—发射极最大电压 VCEO:  12 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  2 V

集电极连续电流:  35 mA

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-323

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

工作频率:  8 GHz

类型:  RF Bipolar Small Signal

商标:  Infineon Technologies

Pd-功率耗散:  250 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  BFR182WH6327XT BFR182WH6327XTSA1 SP000750420

单位重量:  60 mg