型号:  BFR 193 E6327

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

系列:  BFR193

晶体管类型:  Bipolar

技术:  Si

晶体管极性:  NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:  70

集电极—发射极最大电压 VCEO:  12 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  2 V

集电极连续电流:  0.08 A

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  20 V

直流电流增益 hFE 最大值:  70 at 30 mA at 8 V

高度:  1 mm

长度:  2.9 mm

工作频率:  8000 MHz

类型:  RF Bipolar Small Signal

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

最大直流电集电极电流:  0.08 A

Pd-功率耗散:  580 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056

单位重量:  8 mg