型号:  BFU610F,115

功能描述:  BFU610 Series 5.5 V 26 dB Gain NPN Wideband Silicon RF Transistor - SOT-343F-4

制造商:  NXP Semiconductors

晶体管类型：  NPN

电压-集射极击穿（最大值）：  5.5V

频率-跃迁：  15GHz

噪声系数（dB，不同f时的典型值）：  0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益：  13.5dB ~ 23.5dB

功率-最大值：  136mW

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  90 @ 1mA，2V

电流-集电极（Ic）（最大值）：  10mA

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  4-DFP

电压 - 集射极击穿（最大值）：  5.5V

频率 - 跃迁：  15GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

功率 - 最大值：  136mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  90 @ 1mA，2V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  10mA

封装/外壳：  SOT-343F

供应商器件封装：  4-DFP

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs