型号: BFU610F,115
功能描述: BFU610 Series 5.5 V 26 dB Gain NPN Wideband Silicon RF Transistor - SOT-343F-4
制造商: NXP Semiconductors
晶体管类型: NPN
电压-集射极击穿(最大值): 5.5V
频率-跃迁: 15GHz
噪声系数(dB,不同f时的典型值): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益: 13.5dB ~ 23.5dB
功率-最大值: 136mW
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 90 @ 1mA,2V
电流-集电极(Ic)(最大值): 10mA
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-DFP
电压 - 集射极击穿(最大值): 5.5V
频率 - 跃迁: 15GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
功率 - 最大值: 136mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 90 @ 1mA,2V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 10mA
封装/外壳: SOT-343F
供应商器件封装: 4-DFP
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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