型号: BSD816SN L6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSD816SN
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 160 毫欧 @ 1.4A，2.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 950mV @ 3.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 0.6nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 180pF @ 10V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： PG-SOT363-6
其它名称： BSD816SN L6327-NDBSD816SNL6327BSD816SNL6327HTSA1SP000464868
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