型号: BSM150GAL120DN2
功能描述: IGBT 模块 1200V 150A CHOPPER
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 否
商标: Infineon Technologies
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 210 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: Half Bridge GAL 2
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Screw
Pd-功率耗散: 1.25 kW
工厂包装数量: 500
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