型号:  BSZ086P03NS3EG

功能描述:   MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

商标:  Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:  13.5 A

Vds-漏源极击穿电压:  - 30 V

Rds On-漏源导通电阻:  8.6 mOhms

晶体管极性:  P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  - 3.1 V

Qg-栅极电荷:  21.4 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  69 W

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSDSON-8

封装:  Reel

通道模式:  Enhancement

配置:  Single Quad Drain Triple Source

下降时间:  8 ns

正向跨导 - 最小值:  43 S

最小工作温度:  - 55 C

上升时间:  46 ns

系列:  OptiMOS P3

工厂包装数量:  5000

商标名:  OptiMOS

典型关闭延迟时间:  35 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

零件号别名:  BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGXT SP000473016