型号: BUK9E06-55B
功能描述: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 146 A
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 258 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Rail
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 106 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 95 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 117 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
零件号别名: BUK9E06-55B,127
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林伟豪
电话：13798223800
Q Q:
联系人：丁皓鹏
电话：18124166365
Q Q:
联系人：黄S
Q Q:
