型号: BUK9E06-55B
功能描述: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 146 A
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 258 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Rail
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 106 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 95 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 117 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
零件号别名: BUK9E06-55B,127
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