型号: C3M0075120D
功能描述: MOSFET 1200V, 75 MOHM, G3 SIC
制造商: Cree/Wolfspeed
包装: 管件
系列: C3M™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 90 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 54nC @ 15V
Vgs（最大值）: +19V，-8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1350pF @ 1000V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 113.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
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