型号:  CSD85302LT

功能描述:  MOSFET 20V Dual N ch MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PICOSTAR-4

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  7 A

Rds On-漏源导通电阻:  24 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  680 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.7 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.22 mm

长度:  1.35 mm

系列:  CSD85302L

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.35 mm

商标:  Texas Instruments

下降时间:  99 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  54 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  173 ns

典型接通延迟时间:  37 ns

单位重量:  1.200 mg