型号: DMN100
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 1.1 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15 ns
系列: DMN100
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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