型号:  DMN1003UCA6-7

功能描述:  MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  X3-DSN3518-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  23.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.3 mOhms, 2.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  56.5 nC, 56.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.67 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  6208 ns, 6208 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1694 ns, 1694 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  47479 ns, 4747 ns

典型接通延迟时间:  603 ns, 603 ns