型号: DMT10H009SPS-13
功能描述: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 14A(Ta),80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 8.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 30nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2085pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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