型号:  EFC6611R-A-TF

功能描述:  MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  CSP-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  27 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  120 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.5 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  EFC6611R

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  19 S

开发套件:  -

下降时间:  17700 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  570 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  38000 ns

典型接通延迟时间:  80 ns

单位重量:  60 mg