型号: EPC2012C
功能描述:
制造商: EPC
FET 类型: N 沟道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.3nC @ 5V
Vgs(最大值): +6V,-4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 140pF @ 100V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 100 毫欧 @ 3A,5V
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 模具剖面(4 焊条)
封装/外壳: 模具
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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