型号: EPC2012C
功能描述:
制造商: EPC
FET 类型： N 沟道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 1.3nC @ 5V
Vgs（最大值）： +6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 140pF @ 100V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 100 毫欧 @ 3A，5V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 模具剖面（4 焊条）
封装/外壳： 模具
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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