型号: FF200R12KS4
功能描述: IGBT 模块 1200V 200A DUAL
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 否
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 275 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1.4 kW
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF200R12KS4HOSA1 SP000100707
联系人:刘经理
电话:13381567868
联系人:韩雪
电话:18124047120
联系人:小冯
电话:18964592030
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:刘先生
电话:18390902447
联系人:彭
电话:13229656708
联系人:廖先生
电话:13413414855
联系人:程小姐,叶小姐
电话:18916238831