型号: GT60M303
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin TO-3P(LH)
制造商: toshiba
XPackage: 3TO-3P(LH)
包装: 3TO-3P(LH)
配置: Single
最大集电极发射极电压: 900 V
最大连续集电极电流: 60 A
最大栅极发射极电压: ±25 V
安装: Through Hole
标准包装: Rail / Tube
供应商封装形式: TO-3P(LH)
最大栅极发射极电压: ±25
最大连续集电极电流: 60
欧盟RoHS指令: Not Compliant
最高工作温度: 150
渠道类型: N
最大集电极发射极电压: 900
最大功率耗散: 170000
最低工作温度: -55
引脚数: 3
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