型号: GT60M303
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin TO-3P(LH)
制造商: toshiba
XPackage： 3TO-3P(LH)
包装： 3TO-3P(LH)
配置： Single
最大集电极发射极电压： 900 V
最大连续集电极电流： 60 A
最大栅极发射极电压： ±25 V
安装： Through Hole
标准包装： Rail / Tube
供应商封装形式： TO-3P(LH)
最大栅极发射极电压： ±25
最大连续集电极电流： 60
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 150
渠道类型： N
最大集电极发射极电压： 900
最大功率耗散： 170000
最低工作温度： -55
引脚数： 3
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Q Q:
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