型号: HGT1S2N120CN
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装: 50
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: -
包装: 管件
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 13A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 20A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.4V @ 15V,2.6A
功率 - 最大值: 104W
开关能量: 96µJ(开),355µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 30nC
25°C 时 Td(开/关)值: 25ns/205ns
测试条件: 960V,2.6A,51 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): -
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAK
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联系人:Alien
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