型号: HGT1S2N120CN
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 13A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 20A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.4V @ 15V，2.6A
功率 - 最大值： 104W
开关能量： 96µJ（开），355µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 30nC
25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/205ns
测试条件： 960V，2.6A，51 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
安装类型： 通孔
供应商器件封装： I2PAK
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