型号: HSCB1216
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：P沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 16A
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 15mΩ @ 8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.2W
类型: P沟道
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