型号: IMBF170R1K0M1XTMA1
功能描述: SIC MOSFET 1700V
制造商: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: CoolSiC™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1700V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V,15V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 1000毫欧 @ 1A,15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 5nC @ 12V
Vgs(最大值): +20V, -10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 275pF @ 1000V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 68W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: -55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
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