型号: IMW120R045M1XKSA1
功能描述: COOLSIC MOSFETS 1200V
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: CoolSiC™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1.2kV
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 59 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.7V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 52nC @ 15V
Vgs（最大值）: +20V， -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1.9nF @ 800V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 228W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-41
封装/外壳: TO-247-3
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑生
电话：13692278722
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：18927485972
Q Q:
