型号: IMW120R220M1HXKSA1
功能描述: COOLSIC MOSFETS 1200V
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: CoolSiC™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1.2kV
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 286 毫欧 @ 4A，18V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.7V @ 1.6mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 8.5nC @ 18V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 289pF @ 800V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-41
封装/外壳: TO-247-3
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：蔡
电话：13728606958
Q Q:
联系人：刘祝平
电话：18126538756
Q Q:
联系人：汪红兵
电话：14771195949
Q Q:
