型号: IPB080N06NGXT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
安装： Surface Mount
包装宽度： 9.25
PCB： 2
最大功率耗散： 214000
最大漏源电压： 60
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 8@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： TO-263
标准包装名称： D2PAK
最高工作温度： 175
渠道类型： N
包装长度： 10
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 4.4
最大连续漏极电流： 80
标签： Tab
铅形状： Gull-wing
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：陈安定
电话：18101718660
Q Q:
联系人：李先生
电话：18028765167
Q Q:
联系人：吴丽花
电话：13342971909
Q Q:
