型号: IPB60R299CPATMA1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-263
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
通道模式： Enhancement
标准包装名称： D2PAK
最低工作温度： -55
渠道类型： N
最大漏源电阻： 299@10V
最大漏源电压： 600
每个芯片的元件数： 1
供应商封装形式： TO-263
最大功率耗散： 96000
最大连续漏极电流： 11
引脚数： 3
铅形状： Gull-wing
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