型号: IPB60R360CFD7ATMA1
功能描述: LOW POWER_NEW
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: CoolMOS™ CFD7
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 360 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 140µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 14nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 679pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 43W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：戴瑞
电话：18307520622
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
联系人：曹娟娟
电话：18770063110
Q Q:
