型号: IPD60R1K0PFD7S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 0.05mA 漏源导通电阻：1Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：26W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8.8A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 0.05mA
漏源导通电阻: 1Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 26W(Tc)
类型: N沟道
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：赵先生
电话：18676373945
Q Q:
联系人：罗小姐
Q Q:
联系人：庄梓豪
电话：18620174454
Q Q:
