型号: IPD60R1K0PFD7S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 0.05mA 漏源导通电阻：1Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：26W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8.8A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 0.05mA
漏源导通电阻: 1Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 26W(Tc)
类型: N沟道
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