型号:  IPD65R190C7

功能描述:  MOSFET HIGH POWER_NEW

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PG-TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  13 A

Rds On-漏源导通电阻:  190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  23 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  72 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

高度:  2.3 mm

长度:  6.5 mm

系列:  CoolMOS C7

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  6.22 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  54 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

零件号别名:  IPD65R190C7ATMA1 SP000928648

单位重量:  800 mg