型号:  IPD65R660CFDATMA1

功能描述:  MOSFET LOW POWER_LEGACY

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  6 A

Rds On-漏源导通电阻:  594 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  22 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  62.5 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

高度:  2.3 mm

长度:  6.5 mm

系列:  CoolMOS CFDA

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  6.22 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  40 ns

典型接通延迟时间:  9 ns

零件号别名:  IPD65R660CFD SP001117748

单位重量:  4 g