型号: IPI126N10N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 58A I2PAK-3 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 58 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 12.3 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 94 W
封装 / 箱体: TO-262-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 8 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: IPI126N10N3GXKSA1 SP000683072
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：刘
电话：13537590237
Q Q:
联系人：白先生
Q Q:
联系人：Elisa
电话：15262432527
Q Q:
