IPI50R199CPXKSA1规格参数_IPI50R199CPXKSA1全国代理商/分销商

型号: IPI50R199CPXKSA1
功能描述: Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50R199CPXKSA1, 17 A, Vds=550 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
制造商: Infineon Technologies
通道类型： N
最大连续漏极电流： 17 A
最大漏源电压： 550 V
最大漏源电阻值： 199 m0hms
最大栅阈值电压： 3.5V
最小栅阈值电压： 2.5V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： I2PAK (TO-262)
安装类型：通孔
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 139 W
长度： 10.36mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10.36 x 4.52 x 9.45mm
宽度： 4.52mm
系列： CoolMOS CP
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 34 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1800 pF @ 100 V
典型关断延迟时间： 80 ns
典型接通延迟时间： 35 ns
最低工作温度： -55 °C
高度： 9.45mm
最高工作温度： +150 °C
封装/外壳： PG-TO262-3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs