型号: IPS65R1K0CEAKMA2
功能描述: MOSFET CONSUMER
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PG-TO-251-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 7.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 15.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 68 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 13.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.2 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 6.6 ns
零件号别名: IPS65R1K0CE SP001724356
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