型号:  IPS65R1K0CEAKMA2

功能描述:  MOSFET CONSUMER

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  PG-TO-251-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  7.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  15.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  68 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  13.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.2 ns

工厂包装数量:  1500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  41 ns

典型接通延迟时间:  6.6 ns

零件号别名:  IPS65R1K0CE SP001724356