型号:  IRF100B201

功能描述:  IRF100B201 Series 100 V 4.2 mOhm Flange Mount HEXFET® Power Mosfet - TO-220AB

制造商:  Infineon Technologies

系列：  HEXFET®，StrongIRFET™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  192A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  255nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  9500pF @ 50V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  441W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  4.2 毫欧 @ 115A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO220

封装形式Package：  TO-220AB

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  100V

连续漏极电流ID：  192A

漏源电压（Vdss）：  100V

供应商器件封装：  TO-220AB

RoHS compliant：  yes

Packing Type：  TUBE

Moisture Level：  NA

RDS (on) max：  4.2mΩ

VDS max：  100.0V

ID max：  136.0A

Package：  TO-220

Tj max：  175.0°C

QG：  170.0nC

Budgetary Price €€/1k：  1.24

Ptot max：  441.0W

Polarity：  N

Qgd：  45.0nC

RDS (on) (@10V) max：  4.2mΩ

VGS max：  20.0V

Mounting：  THT

RthJC max：  0.34K/W

ID (@ TC=25°C) max：  192.0A

ID (@ TC=100°C) max：  136.0A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs