型号: IXFT30N50Q
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 190nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4925pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 360W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 160 毫欧 @ 15A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-268
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13823650281
Q Q:
联系人：刘玉花
电话：13302927908
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13421848389
Q Q:
