型号: MRF21120R6
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, + 15 V
增益: 11.5 dB
输出功率: 14 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230-5
封装: Reel
商标: Freescale Semiconductor
工作频率: 2.11 GHz to 2.17 GHz
Pd-功率耗散: 389 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.8 V
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：曾舒媚
电话：13682318582
Q Q:
联系人：肖圣
电话：17825673949
Q Q:
联系人：刘丹丽
电话：13808072722
Q Q:
联系人：蒋先生
电话：15817455025
Q Q:
联系人：郭泽欣
电话：13416469727
Q Q:
