型号: NDH831N
功能描述: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: 8 V
漏极连续电流: 5.8 A
配置: Single Quint Drain Dual Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SuperSOT-8
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1800 mW
上升时间: 30 ns
典型关闭延迟时间: 55 ns
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