型号: NE6500379A-T1
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 L&S Band GaAs MESFET
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 否
商标: CEL
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
增益: 10 dB
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 7 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 21 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
封装: Reel
工作频率: 1.9 GHz
P1dB - 压缩点: 35 dBm
工厂包装数量: 1000
联系人：肖瑶，树平
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