型号: NE6500496
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 L&S Band GaAs MESFET
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
商标: CEL
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
增益: 11.5 dB
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 12 V
Id-连续漏极电流: 3.5 A
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 25 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Outline96
封装: Bulk
正向跨导 - 最小值: 1.3 S
工作频率: 2.3 GHz
P1dB - 压缩点: 36 dBm
联系人：Alien
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：吴小姐
Q Q:
联系人：JACK
Q Q:
