型号:  NTD4963N-1G

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

制造商:  on semiconductor

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  75

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  8.1A

Rds（最大）@ ID，VGS：  9.6 mOhm @ 30A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  16.2nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1035pF @ 12V

功率 - 最大：  1.1W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装：  I-Pak

包装材料 ：  Tube

包装：  3IPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  10 A

RDS -于：  9.6@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  12 ns

典型上升时间：  20 ns

典型关闭延迟时间：  14 ns

典型下降时间：  3 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  2.38(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1640

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  9.6@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  IPAK

最高工作温度：  175

渠道类型：  N

包装长度：  6.73(Max)

引脚数：  3

包装高度：  6.35(Max)

最大连续漏极电流：  10

封装：  Rail

标签：  Tab

铅形状：  Through Hole

类别：  Power MOSFET

配置：  Dual Drain, Single

外形尺寸：  6.73 x 2.38 x 7.49mm

身高：  7.49mm

长度：  6.73mm

最大漏源电阻：  9.6 mΩ

最高工作温度：  +175 °C

最大功率耗散：  1.1 W

最低工作温度：  -55 °C

安装类型：  Through Hole

包装类型：  IPAK

典型栅极电荷@ VGS：  8.1 nC V @ 4.5

典型输入电容@ VDS：  1035 pF V @ 12

宽度：  2.38mm

RoHS指令：  Compliant

晶体管极性：  N-Channel

连续漏极电流：  44 A

正向跨导 - 闵：  40 S

RDS（ON）：  13.6 mOhms

安装风格：  Through Hole

功率耗散：  35.7 W

封装/外壳：  IPAK

栅极电荷Qg：  8.1 nC

上升时间：  20 ns

漏源击穿电压：  30 V