型号: NTJD4105CT1
功能描述: MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: ON Semiconductor
Id-连续漏极电流: 630 mA
Vds-漏源极击穿电压: 20 V, - 8 V
Rds On-漏源导通电阻: 375 mOhms, 300 mOhms
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V, 8 V
Qg-栅极电荷: 1.3 nC, 2.2 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 270 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Complementary
下降时间: 506 nS, 36 nS
正向跨导 - 最小值: 2 S, 2 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 227 nS, 23 nS
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 786 nS, 50 nS
典型接通延迟时间: 83 nS, 13 nS
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