NTLJS4114NTAG规格参数_NTLJS4114NTAG全国代理商/分销商

型号: NTLJS4114NTAG
功能描述: NTLJS Series N-Channel 30 V 35 mOhm 1.92 W Surface Mount Power MOSFET - DFN-6W
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 3.6A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 13nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 650pF @ 15V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 35 毫欧 @ 2A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘
封装形式Package： WDFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 6A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs