型号:  NTMD6N02R2G

功能描述:  MOSFET NFET 20V 0.035R TR

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOIC-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  5.07 A

Rds On-漏源导通电阻:  35 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.5 mm

长度:  5 mm

系列:  NTMD6N02

晶体管类型:  2 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  4 mm

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  10 S

下降时间:  60 ns, 80 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  35 ns, 50 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  45 ns

典型接通延迟时间:  11 ns, 12 ns

单位重量:  187 mg