型号:  PMGD780SN,115

功能描述:  MOSFET N-CH TRENCH DL 60V

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSSOP-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  490 mA

Rds On-漏源导通电阻:  780 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  410 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  2.2 mm

产品:  MOSFET Small Signal

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.35 mm

商标:  Nexperia

下降时间:  4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  5 ns

典型接通延迟时间:  2 ns

零件号别名:  PMGD780SN T/R

单位重量:  7.500 mg