型号: RN1109MFV,L3F
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）： 47 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）： 22 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 70 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
功率 - 最大值： 150mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-723
供应商器件封装： VESM
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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