型号:  RQ3C150BCTB

功能描述:  MOSFET Pch -20V -30A Si MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  HSMT-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  30 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  60 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  20 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  25 S

下降时间:  280 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  80 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  300 ns

典型接通延迟时间:  26 ns

零件号别名:  RQ3C150BC