型号: RQ3E100GNTB
功能描述: MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSMT-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 7.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 8 S
下降时间: 3.1 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.3 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22.4 ns
典型接通延迟时间: 8.4 ns
零件号别名: RQ3E100GN
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