型号:  RQ3E120ATTB

功能描述:  MOSFET Pch -30V -12A Middle Power MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  HSMT-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  39 V

Id-连续漏极电流:  12 A

Rds On-漏源导通电阻:  61 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  62 nC

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Single

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.85 mm

长度:  3 mm

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  2.4 mm

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  95 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  30 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  140 ns

典型接通延迟时间:  20 ns

零件号别名:  RQ3E120AT