型号:  SH8KA2GZETB

功能描述:  MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  8 A

Rds On-漏源导通电阻:  23 mOhms, 23 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  8 nC, 8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.8 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  4.2 S, 4.2 S

下降时间:  5.7 ns, 5.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8.4 ns, 8.4 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11 ns, 11 ns

典型接通延迟时间:  7.4 ns, 7.4 ns

零件号别名:  SH8KA2